考虑温度效应的MWCNT填充TSV的电模型与特性分析

分享到

【作者】苏晋荣，陈雪，张文梅
【刊名】中国科技论文
【作者单位】山西大学物理电子工程学院；太原师范学院物理系
【年份】2016
【卷号】第11卷
【期号】第14期
【页码】1632-1636
【ISSN】1673-7180
【关键词】微电子学与固体电子学多壁碳纳米管硅过孔正向传输系数串扰延时
【摘要】将温度效应考虑在内,建立了一对填充多壁碳纳米管的硅过孔阻抗模型,利用该模型计算了一对硅过孔的正向传输系数S21、串扰及延时等物理量,并分析了这些物理量随温度、TSV(Through Silicon Via)结构及材料参数的变化。结果表明,衬底电导的温度效应是影响S21参数温度特性的主要原因;降低隔离层介电常数或增加隔离层厚度,可以减小插入损耗,降低串扰和延时,提升传输性能;适当增加节距可以减小60GHz频率以下的插入损耗;增加MWCNT(Multi-walled Carbon Nanotubes...
【基金】国家自然科学基金;高等学校博士学科点专项科研基金
【文献类型】期刊