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笼状锗结构的一维生长

  • 【作者】李思殿
  • 【刊名】山西大学学报(自然科学版)
  • 【作者单位】山西太原师范专科学校
  • 【年份】1998
  • 【卷号】第21卷
  • 【期号】 第1期
  • 【页码】56-60
  • 【ISSN】0253-2395
  • 【关键词】锗团簇 结构 衍生关系 
  • 【摘要】 基于笼状锗结构预测,本文以Ge10为基本结构单元,通过径向和轴向生长两种方式优化了Ge20~Ge40的一维结构。计算所得锗团簇的轴径比和结合能与离子注入漂移管试验结果较好吻合,为中等尺寸锗团簇的一维结构模型提供了理论依据。
  • 【文献类型】 期刊
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