新型复合终端氧化镓肖特基二极管电学特性仿真研究

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【作者】屈珉敏，余建刚，李子唯，李旺旺，雷程，李腾腾，李丰超，梁庭，贾仁需
【刊名】人工晶体学报
【作者单位】¹太原师范学院物理系；²中北大学省部共建动态测试技术国家重点实验室；³西安电子科技大学微电子学院
【ISSN】1000-985X
【关键词】氧化镓肖特基二极管反向漏电流击穿电压复合终端
【摘要】作为新一代宽禁带半导体，氧化镓因具有更大的禁带宽度和更高的击穿场强，成为制备耐高压、高频、高功率电力电子器件的最佳候选材料。然而，氧化镓肖特基二极管具有终端电场边缘集中效应，导致器件因提前击穿而失效，从而限制了氧化镓的应用。本文通过将可以缓解电场边缘集中效应的高阻区和抑制反向漏电的电子势垒层相结合，设计了一种新型复合终端。仿真结果表明：引入高阻区终端结构的器件电极边缘附近的峰值电场从3.65 MV/cm下降到0.246 MV/cm，可以有效缓解电极电场边缘集中效应。当高阻区Mg离子注入浓度为10...
【基金】国家自然科学基金
【文献类型】期刊